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TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
3000
8
V DS =-15V
I D =-12A
2500
C iss
2000
6
1500
4
1000
C oss
2
0
500
0
C rss
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
100
Q g (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
10 μ s
10000
-V DS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
T J(Max) =150 ° C
10
100 μ s
1000
T A =25 ° C
1ms
1
R DS(ON) limited
10ms
100
100mss
0.1
T J(Max) =150 ° C
10s
10
0.01
T A =25 ° C
DC
1
0.1
1
10
100
0.00001
0.001
0.1
10
1000
10
-V DS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-
to-Ambient (Note E)
1
D=T on /T
T J,PK =T A +P DM .Z θ JA .R θ JA
R θ JA =75 ° C/W
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
0.1
P D
0.01
Single Pulse
T on
T
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1 10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance(Note E)
Rev.11.0 June 2013
www.aosmd.com
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